Với khả năng có thể phủ trên diện tích rộng (Gen. 11) bằng phương pháp PECVD, hệ thống transistor với kênh được làm từ vật liệu a-Si & a-SiH,... đã và đang được ứng dụng trong công nghệ các màn hình hiển thị diện tích lớn. Với độ linh động chỉ vào tầm 1cm2/Vs bởi sự tồn tại một lượng rất lớn các liên kết dangling (cao hơn cả lượng bẫy trong grain boundary của poly-Si) nên hoạt động của các linh kiện này phụ thuộc rất rất lớn vào nồng độ dangling bonds (đóng góp chủ yếu vào lượng bẫy nắm sâu trong vùng cấm).
Có nhiều phương pháp để giảm lượng dangling bonds trong a-Si, tuy nhiên việc sử dụng High Pressure Annealing (HPA) là phương pháp hữu hiệu nhất (doping H2 into a-Si) de tao ra các liên kết Si-H (hủy dangling bond), một phương pháp bộ môn đang sử dụng và được biết với tên "Nghiên cứu và chế tạo màng a-SiH (tùy mục đích sử dụng)" cũng là cách tương đương để triệt tiêu hàm lượng dangling bonds trong a-Si.
Trong quá trình nghiên cứu poly-Si thin film transistors (poly-Si TFTs), mình đã gặp phải vấn đề là khi độ dày của kênh dẫn nhỏ hơn 9nm và grain size chỉ vào cỡ 1-2nm thì nồng độ tạp chất độ ngột cao sâu trong vùng cấm (chỉ xuất hiện khi có nhiều hàm lượng dangling bonds). Dựa vào vốn kiến thức nhỏ bé, mình xác định trong các thiệt bị này đã xuất hiện sự chuyển tiếp giữa poly-Si (ít dangling bonds) và a-Si (nhiều dangling bonds).
Vấn đề đặt ra:
1) Làm sao xác định sự có mặt của dangling bonds trong Si nếu không dùng "phổ hấp thụ" hoặc "tính toán nồng độ bẫy sâu trong vùng cấm".
2) Sự biến đổi của cấu trúc vùng năng lượng trong Si khi nồng độ dangling bonds tăng dần. (Có phương trình liên hệ thì tuyệt cú mèo)
3) Các lý thuyết cụ thể về dangling bonds (sự hình thành, ảnh hưởng của dangling bonds, tiêu hủy, ứng dụng,...)
4) Cơ chế dẫn hopping các dangling bonds.
5) Các bài báo về dangling bonds trong a-Si, a-SiH,...
Bất cứ một bài báo và đặc biệt là sách viết về dangling bonds trong a-Si mà mọi người tâm đắc đều có thể up lên diễn đàn để chia sẻ cùng mọi ngươi (đặc biệt là Mod ^_^).
Xin chào đón mọi ý kiến đóng góp của tất cả mọi người.
Nguyễn Mạnh Cường.